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Infineon OptiMOS P BSL308PEH6327XTSA1 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A 500 MW, 6-Pin TSOP-6

About The : 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min

Infineon OptiMOS P BSL308PEH6327XTSA1 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Infineon OptiMOS P BSL308PEH6327XTSA1 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A 500 MW, 6-Pin TSOP-6

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Specifications of Infineon OptiMOS P BSL308PEH6327XTSA1 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A 500 MW, 6-Pin TSOP-6

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