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Infineon CoolMOS C6 IPD60R380C6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The 41mm.5V, Gate-Schwellenspannung min

Infineon CoolMOS C6 IPD60R380C6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.41mm

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Infineon CoolMOS C6 IPD60R380C6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon CoolMOS C6 IPD60R380C6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Nexperia BC857BS,115 SMD, PNP Transistor Dual –45 V / -100 mA 100 MHz, UMT 6-Pin
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    Festo VSVA-B-M52-MH-A1-3AC1 547220 Magnetventil, Elektrisch-betätigt, Funktion: 5/2 Monostable.

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    EPCOS B57235S0 Thermistor, NTC, 10Ω, 60s, Toleranz ±20%, 1800mW, 9.5 x 6mm

    5 x 6mm, Betriebstemperatur max.: -55°C, MPN: B57235S0100M000.

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    Siemens 3VA1 Leitungsschutzschalter, 3-polig 1A SENTRON DIN-Schienen-Montage, Polzahl: 3P, MPN: 3VA1181-5MG32-0AA0.

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    Infineon CoolMOS C6 IPD60R380C6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.5V, Gate-Schwellenspannung min.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.41mm.

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    : 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon CoolMOS C6 IPD60R380C6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.

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