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Infineon HEXFET IRFP4468PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 290 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

About The Infineon HEXFET IRFP4468PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 290 A 520 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.7mm

Infineon HEXFET IRFP4468PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 290 A 520 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 20.7mm

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Infineon HEXFET IRFP4468PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 290 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

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Specifications of Infineon HEXFET IRFP4468PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 290 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

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Infineon HEXFET IRFP4468PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 290 A 520 W, 3-Pin TO-247AC
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