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TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 6,8 μH 15mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 60MHz

About The TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 6,8 μH 15mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 60MHz, Tiefe: 1.: +85°C, Betriebstemperatur min

TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 6,8 μH 15mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 60MHz, Tiefe: 1.25mm, Abmessungen: 2 x 1.25 x 1.25mm, Gleichstromwiderstand max.: 650mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +85°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: MLF2012E6R8KT000

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Specifications of TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 6,8 μH 15mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 60MHz

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