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Infineon SIPMOS BSS83PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 330 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon SIPMOS BSS83PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 330 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Infineon SIPMOS BSS83PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 330 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Infineon SIPMOS BSS83PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 330 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23

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