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Texas Instruments Development Kit Für INA199, Stromfühler-Verstärker, Amplifier IC Development Kit Evaluierungs-Modul

About The Texas Instruments Development Kit für INA199, Stromfühler-Verstärker, Amplifier IC Development Kit Evaluierungs-Modul, MPN: INA199EVM

Texas Instruments Development Kit für INA199, Stromfühler-Verstärker, Amplifier IC Development Kit Evaluierungs-Modul, MPN: INA199EVM

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Specifications of Texas Instruments Development Kit Für INA199, Stromfühler-Verstärker, Amplifier IC Development Kit Evaluierungs-Modul

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STMicroelectronics Mikrocontroller STM8S STM8 8bit SMD 32 KB LQFP 32-Pin 16MHz 2 KB RAM

STMicroelectronics Mikrocontroller STM8S STM8 8bit SMD 32 KB LQFP 32-Pin 16MHz 2 KB RAM

STMicroelectronics Mikrocontroller STM8S STM8 8bit SMD 32 KB LQFP 32-Pin 16MHz 2 KB RAM, USB-Kanäle: 0, Anzahl der PWM-Einheiten: 1 x 16 bit, MPN: STM8S005K6T6CTR.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • Mikrocontroller
  • STMicroelectronics
    • RS PRO LED Schalttafel-Anzeigelampe Weiß 24V dc, Montage-Ø 14mm, Leiter

    RS PRO LED Schalttafel-Anzeigelampe Weiß 24V dc, Montage-Ø 14mm, Leiter

    8mm, Intensität: 350 mcd, Länge: 28,8 mm.RS PRO LED Schalttafel-Anzeigelampe Weiß 24V dc, Montage-Ø 14mm, Leiter, Nennspannung: 24V dc, Schutzart: IP67, Blendenform: Erhaben, Nennstrom: 20mA, Intensität: 350mcd, Länge: 28.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Displays und Optoelektronik
  • Anzeigelampen und Zubehörteile
  • Anzeigen Schalttafelmontage
  • RS PRO
    • Infineon IGBT-Modul / 1,2 kA 20V max.

    Infineon IGBT-Modul / 1,2 kA 20V max.

    Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime2 N-Kanal, MPN: FF1200R12IE5PBPSA1 Infineon IGBT-Modul / 1,2 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime2 N-Kanal.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • IGBT
  • Infineon
    • Yageo RC1206 Dickschicht SMD-Widerstand 3Ω ±1% / 0.25W ±200ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    Yageo RC1206 Dickschicht SMD-Widerstand 3Ω ±1% / 0.25W ±200ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    25W ±200ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: RC1206FR-073RL.Yageo RC1206 Dickschicht SMD-Widerstand 3Ω ±1% / 0.

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  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Yageo
    • Amphenol Communications Solutions Minitek 1.80 Leiterplattensteckverbinder Gehäuse Buchse 1.8mm, 16-polig / 2-reihig
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse
  • Steckergehäuse und Stecker
  • Amphenol Communications Solutions
    • Samtec FTSH Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 20-polig / 2-reihig, Raster 1.27mm

    Samtec FTSH Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 20-polig / 2-reihig, Raster 1.27mm

    Samtec FTSH Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 20-polig / 2-reihig, Raster 1.

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  • Leiterplatten Header
  • Samtec
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    Texas Instruments Development Kit für INA199, Stromfühler-Verstärker, Amplifier IC Development Kit Evaluierungs-Modul, MPN: INA199EVM.

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    • TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 3.6kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse
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    • TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 3.6kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 3.6kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: 8-2176397-6.6kΩ ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2010 (5025M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.TE Connectivity 3502 Dickschicht SMD-Widerstand 3.

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