Vishay SI1012CR-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 630 mA 240 mW, 3-Pin SC-75, Gehäusegröße: SOT-416 (SC-75A), Drain-Source-Widerstand max.: 1,1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 0.8mm, Länge: 1.68mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI1012CR-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 630 MA 240 MW, 3-Pin SC-75
Specifications of Vishay SI1012CR-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 630 MA 240 MW, 3-Pin SC-75 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |