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Vishay SI1012CR-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 630 MA 240 MW, 3-Pin SC-75

About The 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.68mm

Vishay SI1012CR-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 630 mA 240 mW, 3-Pin SC-75, Gehäusegröße: SOT-416 (SC-75A), Drain-Source-Widerstand max.: 1,1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 0.8mm, Länge: 1.68mm

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Vishay SI1012CR-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 630 MA 240 MW, 3-Pin SC-75

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Specifications of Vishay SI1012CR-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 630 MA 240 MW, 3-Pin SC-75

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Vishay SI1012CR-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 630 MA 240 MW, 3-Pin SC-75
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