reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
IXYS

IXYS HiperFET, Polar IXFK26N120P N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A 960 W, 3-Pin TO-264

About The : -30 V, +30 V, Höhe: 26.: 6

IXYS HiperFET, Polar IXFK26N120P N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A 960 W, 3-Pin TO-264, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 460 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 26.16mm, Länge: 19.96mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Polar IXFK26N120P N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A 960 W, 3-Pin TO-264

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXFK26N120P N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A 960 W, 3-Pin TO-264

Category
Instockinstock

Last Updated

IXYS HiperFET, Polar IXFK26N120P N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A 960 W, 3-Pin TO-264
More Varieties

Rating :- 9.45 /10
Votes :- 6