IXYS HiperFET, Polar IXFK26N120P N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A 960 W, 3-Pin TO-264, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 460 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 26.16mm, Länge: 19.96mm
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IXYS HiperFET, Polar IXFK26N120P N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A 960 W, 3-Pin TO-264
Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXFK26N120P N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A 960 W, 3-Pin TO-264 | |
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