Toshiba SSM6N35FE N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 180 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563, Drain-Source-Widerstand max.: 20 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Gate-Source Spannung max.: ±10 V, Länge: 1.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba SSM6N35FE N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 180 MA 150 MW, 6-Pin SOT-563
Specifications of Toshiba SSM6N35FE N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 180 MA 150 MW, 6-Pin SOT-563 | |
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