Vishay SI4532CDY-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,3 A, 6 A 2,78 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, 140 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm
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Vishay SI4532CDY-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,3 A, 6 A 2,78 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay SI4532CDY-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,3 A, 6 A 2,78 W, 8-Pin SOIC | |
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