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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Onsemi Operationsverstärker SMD TSOP, Einzeln Typ. 2,7 → 16 V, 5-Pin

About The : -40 °C, Rail to Rail: Rail-to-Rail Output, Spannungsverstärkung typ.: 130 dB, Abmessungen: 3 x 1

onsemi Operationsverstärker SMD TSOP, einzeln typ. 2,7 → 16 V, 5-Pin, Stromversorgungs-Typ: Single, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.: 3.5MHz, Flankensteilheit typ.: 2.6V/µs, Betriebstemperatur max.: +105 °C, Betriebstemperatur min.: -40 °C, Rail to Rail: Rail-to-Rail Output, Spannungsverstärkung typ.: 130 dB, Abmessungen: 3 x 1.5 x 1mm, Länge: 3mm, MPN: TLV271SN1T1G

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Onsemi Operationsverstärker SMD TSOP, Einzeln Typ. 2,7 → 16 V, 5-Pin

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Specifications of Onsemi Operationsverstärker SMD TSOP, Einzeln Typ. 2,7 → 16 V, 5-Pin

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Vishay MMU,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 43kΩ ±1% / 0.2W ±50ppm/K, Melf 0102 Gehäuse
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    • Abracon 14.7456MHz Quarzmodul, Oberflächenmontage, ±20ppm, 18pF, B.
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    • Abracon 16MHz Quarzmodul, Oberflächenmontage, ±30ppm, 10pF, B.

    Abracon 16MHz Quarzmodul, Oberflächenmontage, ±30ppm, 10pF, B.

    1mm, L. 3.000MHZ-B4Y-T. Abracon 16MHz Quarzmodul, Oberflächenmontage, ±30ppm, 10pF, B.

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    • Murata LQH43PN_26 Drosselspule, 100 μH 320mA mit Ferrit-Kern, 4532 Gehäuse 4.5mm / ±20%

    Murata LQH43PN_26 Drosselspule, 100 μH 320mA mit Ferrit-Kern, 4532 Gehäuse 4.5mm / ±20%

    Murata LQH43PN_26 Drosselspule, 100 μH 320mA mit Ferrit-Kern, 4532 Gehäuse 4.6mm, Abmessungen: 4.

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    • Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 330nF / 50V dc, Gehäuse 0805 (2012M)

    Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 330nF / 50V dc, Gehäuse 0805 (2012M)

    Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 330nF / 50V dc, Gehäuse 0805 (2012M), Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: 885012207101.

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    onsemi Operationsverstärker SMD TSOP, einzeln typ.

    5MHz, Flankensteilheit typ. 2,7 → 16 V, 5-Pin.: +105 °C, Betriebstemperatur min.

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    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 39kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 39kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 39kΩ ±0.1% / 0.: +125°C, MPN: CPF0805B39KE.

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    onsemi Operationsverstärker SMD TSOP, einzeln typ.

    : 130 dB, Abmessungen: 3 x 1.5MHz, Flankensteilheit typ.: 3.

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    TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 39kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    1% / 0.TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 39kΩ ±0.: +125°C, MPN: CPF0805B39KE.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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