Infineon IPW60R IPW60R099CPAFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 105 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPW60R IPW60R099CPAFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon IPW60R IPW60R099CPAFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A, 3-Pin TO-247 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |