Infineon IPP60R IPP60R120P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 26 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 120 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon IPP60R IPP60R120P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 26 A, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon IPP60R IPP60R120P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 26 A, 3-Pin TO-220 | |
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