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Vishay SIHG039N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61 A 357 W, 3-Pin TO-247AC

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Vishay SIHG039N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61 A 357 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V

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    3M Keramik Fächerschleifscheibe Ø 115mm

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    ASSMANN WSW ADT Sub-D Gehäuse Gerade, 15-polig, Größe A, aus PA

    ASSMANN WSW ADT Sub-D Gehäuse Gerade, 15-polig, Größe A, aus PA, MPN: ADT 15/RAE.

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    Bivar THT InGaN, Sapphire LED UV-Array 385nm / 20mW, Rund, 3mm LED 15° 2 Pin, Gehäusetyp: 3 mm, Höhe über Panel: 5.4mm, Breite: 3 Dia.mm, Abmessungen: 3 Dia.

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    Moflash LEDD125, LED Blitz, Dauer Signalleuchte Orange, 230 V, Ø 98mm x 162mm, Montageart: Oberflächenmontage, Stromaufnahme: 40mA, Stromart: AC, Gehäusefarbe: Schwarz, Lampe inbegriffen: Ja, IP Schutzart: IP65, Temperatur (max.

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    Vishay SIHG039N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61 A 357 W, 3-Pin TO-247AC

    : ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay SIHG039N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61 A 357 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.

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    : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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