Vishay SQ1922AEEH-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 850 mA 1,5 W, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 530 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Gate-Source Spannung max.: ±12 V, Automobilstandard: AEC-Q101, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Vishay SQ1922AEEH-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 850 MA 1,5 W, 6-Pin SOT-363
Specifications of Vishay SQ1922AEEH-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 850 MA 1,5 W, 6-Pin SOT-363 | |
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