Infineon CoolMOS IPB65R110CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31,2 A, 3-Pin TO 263
About The Infineon CoolMOS IPB65R110CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31,2 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max.: 0,11 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon CoolMOS IPB65R110CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31,2 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max.: 0,11 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS IPB65R110CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31,2 A, 3-Pin TO 263
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