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Infineon CoolMOS IPB60R099P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263

About The : 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon.Infineon CoolMOS IPB60R099P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max

Infineon CoolMOS IPB60R099P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max.: 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon

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Infineon CoolMOS IPB60R099P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263

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Specifications of Infineon CoolMOS IPB60R099P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263

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Infineon CoolMOS IPB60R099P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263
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Siemens Trennschalter 4-polig 500A Fest IP00, IP20 355kW

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Siemens Trennschalter 4-polig 500A Fest IP00, IP20 355kW, MPN: 3KD44440QE100.

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    Tempatron Temperatur-Regler

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    Infineon CoolMOS IPB60R099P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263

    : 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon.: 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Infineon CoolMOS IPB65R110CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31,2 A, 3-Pin TO 263

    : 0,11 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon.Infineon CoolMOS IPB65R110CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31,2 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max.

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    : 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon.: 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon CoolMOS IPB60R099P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max.

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    5V, Transistor-Werkstoff: Silicon.Infineon CoolMOS IPB65R110CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31,2 A, 3-Pin TO 263, Drain-Source-Widerstand max.: 4.

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