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Infineon OptiMOS™-5 IAUT260N10S5N019ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 260 A, 8-Pin HSOF-8

About The : 3.Infineon OptiMOS™-5 IAUT260N10S5N019ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 260 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max

Infineon OptiMOS™-5 IAUT260N10S5N019ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 260 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0019 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Si

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Infineon OptiMOS™-5 IAUT260N10S5N019ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 260 A, 8-Pin HSOF-8

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Specifications of Infineon OptiMOS™-5 IAUT260N10S5N019ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 260 A, 8-Pin HSOF-8

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