onsemi QFET FQP12P20 P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 11,5 A 120 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 470 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi QFET FQP12P20 P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 11,5 A 120 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Onsemi QFET FQP12P20 P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 11,5 A 120 W, 3-Pin TO-220AB | |
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