Infineon HEXFET IRF540NLPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max.: 44 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon HEXFET IRF540NLPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
Specifications of Infineon HEXFET IRF540NLPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin I2PAK (TO-262) | |
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