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RS PRO Abisolierzange & Kabelschneider-Set, Kevlar 0.125 → 3mm, 145 Mm

About The 125 → 3mm, 145 mm, Größe min.RS PRO Abisolierzange & Kabelschneider-Set, Kevlar 0

RS PRO Abisolierzange & Kabelschneider-Set, Kevlar 0.125 → 3mm, 145 mm, Größe min.: 0.125mm

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RS PRO Abisolierzange & Kabelschneider-Set, Kevlar 0.125 → 3mm, 145 Mm

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Specifications of RS PRO Abisolierzange & Kabelschneider-Set, Kevlar 0.125 → 3mm, 145 Mm

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RS PRO Abisolierzange & Kabelschneider-Set, Kevlar 0.125 → 3mm, 145 Mm
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Panasonic M-A, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 4700μF ±20% / 35V dc, Ø 18mm x 35.5mm, +85°C
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Aluminium Elektrolytkondensatoren
  • Panasonic
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 22.6kΩ ±1%, 0402 (1005M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 22.6kΩ ±1%, 0402 (1005M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: CRCW040222K6FKED.: -55°C, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Vishay
    • Infineon IAUC41N06S5N102ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 47 A, 8-Pin TDSON

    Infineon IAUC41N06S5N102ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 47 A, 8-Pin TDSON

    Infineon IAUC41N06S5N102ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 47 A, 8-Pin TDSON.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • onsemi 2N7000 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92

    onsemi 2N7000 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92

    : 5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi 2N7000 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92

    onsemi 2N7000 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92

    : +150 °C, MPN: 2N7000TA.onsemi 2N7000 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 0.: -30 V, +30 V, Länge: 5.

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  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
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