Infineon HEXFET IRFI4110GPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 72 A 61 W, 3-Pin TO-220AB FP
About The : +175 °C.Infineon HEXFET IRFI4110GPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 72 A 61 W, 3-Pin TO-220AB FP, Drain-Source-Widerstand max
Infineon HEXFET IRFI4110GPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 72 A 61 W, 3-Pin TO-220AB FP, Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.75mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFI4110GPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 72 A 61 W, 3-Pin TO-220AB FP
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Specifications of Infineon HEXFET IRFI4110GPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 72 A 61 W, 3-Pin TO-220AB FP | |
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