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Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 1.Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Infineon HEXFET IRLB3813PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 260 A 230 W, 3-Pin TO-220AB

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