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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Arcol Ohmite

Arcol Ohmite Resistor, Wirewound, Silicone, Axial, 5 Watt, 1%, .05

About The Arcol Ohmite Resistor, Wirewound, Silicone, Axial, 5 Watt, 1%, .05, MPN: 15FR050E

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Specifications of Arcol Ohmite Resistor, Wirewound, Silicone, Axial, 5 Watt, 1%, .05

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Isabellenhutte Isabellenhütte SMS,, AEC-Q200 SMD-Widerstand 7.5mΩ ±1% / 3 W @ 110°C <50ppm/K, 2512 (6432M) Gehäuse
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    • Vishay MMA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 3kΩ ±1% / 0.25W ±50ppm/K, Melf 0204 Gehäuse
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    • HellermannTyton Verdrahtungskanal Grau, 15 mm x 18mm, Länge 2m Kunststoff, Seitenwand Offen

    HellermannTyton Verdrahtungskanal Grau, 15 mm x 18mm, Länge 2m Kunststoff, Seitenwand Offen

    HellermannTyton Verdrahtungskanal Grau, 15 mm x 18mm, Länge 2m Kunststoff, Seitenwand Offen, Kabelkanal / Kettentyp: Geschlitzter Kabelkanal mit Abdeckung, Material: PVC, MPN: 181-10018 HTWD-PW-15X18-PVC-GY.

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    • Panasonic ECQE(F) Folienkondensator 470nF ±5% / 630V dc, THT Raster 22.5mm

    Panasonic ECQE(F) Folienkondensator 470nF ±5% / 630V dc, THT Raster 22.5mm

    5mm, Abmessungen: 9.: -40°C, MPN: ECQE6474JF.3 x 18.

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    • onsemi DC/DC-Wandler Step Down 1-Kanal, 100mA 1,8 MHz TSOP 5-Pin Einstellbar
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    • Panasonic ERJ Dickschicht SMD-Widerstand 32.4Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    Panasonic ERJ Dickschicht SMD-Widerstand 32.4Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: ERJ8ENF32R4V.Panasonic ERJ Dickschicht SMD-Widerstand 32.

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    Arcol Ohmite Resistor, Wirewound, Silicone, Axial, 5 Watt, 1%, .05, MPN: 15FR050E.

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    • onsemi NTD18N06LG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    onsemi NTD18N06LG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    73mm, Betriebstemperatur max.onsemi NTD18N06LG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: -15 V, +15 V, Länge: 6.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • onsemi NTD18N06LG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    onsemi NTD18N06LG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi NTD18N06LG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 18 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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