Infineon HEXFET IRF2807ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 89 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 9,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon HEXFET IRF2807ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 89 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon HEXFET IRF2807ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 89 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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