Onsemi PowerTrench FDMA1032CZ N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A; 3,7 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET 2 X 2
About The : 68 mΩ, 95 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi PowerTrench FDMA1032CZ N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A; 3,7 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max
onsemi PowerTrench FDMA1032CZ N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A; 3,7 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 68 mΩ, 95 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDMA1032CZ N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A; 3,7 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET 2 X 2
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Specifications of Onsemi PowerTrench FDMA1032CZ N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A; 3,7 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET 2 X 2 | |
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