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Digilent Basys Artix-7 Entwicklungsplatine, FPGA

About The Digilent Basys Artix-7 Entwicklungsplatine, FPGA, MPN: 410-183

Digilent Basys Artix-7 Entwicklungsplatine, FPGA, MPN: 410-183

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Digilent Basys Artix-7 Entwicklungsplatine, FPGA

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Specifications of Digilent Basys Artix-7 Entwicklungsplatine, FPGA

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Digilent Basys Artix-7 Entwicklungsplatine, FPGA
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Mitutoyo metrisch und zöllig Messuhr 0 → 1 in / / ±0,0008 in, Auflösung, Auflösung 0,0005 in

Mitutoyo metrisch und zöllig Messuhr 0 → 1 in / / ±0,0008 in, Auflösung, Auflösung 0,0005 in

: 1Zoll, SPC Datenausgang: Ja, Null-Rückstellbar: Yes, Metrisch oder zöllig: Beide, MPN: 575-123.

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    • Amphenol Socapex Amphenol Kappe mit Kette für Feldbuchsen der Serie USBBF

    Amphenol Socapex Amphenol Kappe mit Kette für Feldbuchsen der Serie USBBF

    Amphenol Socapex Amphenol Kappe mit Kette für Feldbuchsen der Serie USBBF, Buchsentyp: Buchse mit Kontermutter, MPN: USBBFC7.

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    • SKF Keilriemen, XPZ-Profil 9.7mm x 1362mm

    SKF Keilriemen, XPZ-Profil 9.7mm x 1362mm

    SKF Keilriemen, XPZ-Profil 9.7mm x 1362mm, Riementyp: Endlicher Riemen, MPN: PHG XPZ1362EP.

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    • KEMET T495 Kondensator, MnO2, 470μF, 10V dc SMD, ±10%, Gehäuse X, +125°C

    KEMET T495 Kondensator, MnO2, 470μF, 10V dc SMD, ±10%, Gehäuse X, +125°C

    KEMET T495 Kondensator, MnO2, 470μF, 10V dc SMD, ±10%, Gehäuse X, +125°C, Kapazität: 470µF, Spannung: 10V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Äquivalenter Serienwiderstand: 100mΩ, Länge: 7.3 x 4.3 x 4mm, Elektrolyt-Typ: Fest, Materialfamilie des Dielektrikums: Tantal, Leckstrom: 45 μA, MPN: T495X477K010ATE100.

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    • KEMET T491 Kondensator, MnO2, 22μF, 35V dc SMD, ±10%, Gehäuse D, +125°C

    KEMET T491 Kondensator, MnO2, 22μF, 35V dc SMD, ±10%, Gehäuse D, +125°C

    3mm, Tiefe: 4.8mm, Elektrolyt-Typ: Fest, Materialfamilie des Dielektrikums: Tantal, MPN: T491D226K035AT.

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    • onsemi PowerTrench FDMA1032CZ N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A; 3,7 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2

    onsemi PowerTrench FDMA1032CZ N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A; 3,7 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2

    onsemi PowerTrench FDMA1032CZ N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A; 3,7 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: +150 °C.: 68 mΩ, 95 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.

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    onsemi PowerTrench FDMA1032CZ N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A; 3,7 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2

    : 0.onsemi PowerTrench FDMA1032CZ N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A; 3,7 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.

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