Infineon OptiMOS P BSS223PWH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 2,1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon OptiMOS P BSS223PWH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 310 MA 250 MW, 3-Pin SOT-323
Specifications of Infineon OptiMOS P BSS223PWH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 310 MA 250 MW, 3-Pin SOT-323 | |
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