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Infineon OptiMOS 3 IPP084N06L3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 50 A 79 W, 3-Pin TO-220

About The : 2.: +175 °C

Infineon OptiMOS 3 IPP084N06L3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 50 A 79 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 8,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Infineon OptiMOS 3 IPP084N06L3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 50 A 79 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPP084N06L3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 50 A 79 W, 3-Pin TO-220

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