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Vishay IRFU110PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.3 A 25000 MW, 3-Pin IPAK (TO-251)

About The : 540 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.Vishay IRFU110PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4

Vishay IRFU110PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.3 A 25000 mW, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 540 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Vishay IRFU110PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.3 A 25000 MW, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Specifications of Vishay IRFU110PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.3 A 25000 MW, 3-Pin IPAK (TO-251)

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