reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon BSZ097N10NS5 BSZ097N10NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

About The 8V, Gate-Schwellenspannung min.Infineon BSZ097N10NS5 BSZ097N10NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON, Drain-Source-Widerstand max

Infineon BSZ097N10NS5 BSZ097N10NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon BSZ097N10NS5 BSZ097N10NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon BSZ097N10NS5 BSZ097N10NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon BSZ097N10NS5 BSZ097N10NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON
More Varieties

Rating :- 9.27 /10
Votes :- 7