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Infineon CoolMOS CE IPN50R1K4CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 4,8 A 5 W, 3-Pin SOT-223

About The 7mm.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS CE IPN50R1K4CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 4,8 A 5 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Diodendurchschlagsspannung: 0.83V, Höhe: 1.7mm

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Infineon CoolMOS CE IPN50R1K4CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 4,8 A 5 W, 3-Pin SOT-223

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Specifications of Infineon CoolMOS CE IPN50R1K4CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 4,8 A 5 W, 3-Pin SOT-223

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