Infineon CoolMOS CE IPN50R1K4CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 4,8 A 5 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Diodendurchschlagsspannung: 0.83V, Höhe: 1.7mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS CE IPN50R1K4CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 4,8 A 5 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon CoolMOS CE IPN50R1K4CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 4,8 A 5 W, 3-Pin SOT-223 | |
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