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TE Connectivity Dünnschicht SMD-Widerstand 2.21kΩ ±1% / 2W, 1206 (3216M) Gehäuse

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TE Connectivity Dünnschicht SMD-Widerstand 2.21kΩ ±1% / 2W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: 3503G2B2K2FTDF

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Specifications of TE Connectivity Dünnschicht SMD-Widerstand 2.21kΩ ±1% / 2W, 1206 (3216M) Gehäuse

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    TE Connectivity Dünnschicht SMD-Widerstand 200Ω ±1% / 2W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: 3503G2B200RFTDF.

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    21kΩ ±1% / 2W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: 3503G2B2K2FTDF.TE Connectivity Dünnschicht SMD-Widerstand 2.

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    ATP Micro SDHC Micro SD Karte 16 GB Class 10, U3, UHS-I Industrieausführung, SD-Kartentyp: Micro SD-Karte, Industrieausführung: Ja, MPN: AF16GUD4A-BBBIM.

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