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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Stromversorgung
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Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 0,25 A, 0,5 A. 20V 8-Pin SOIC 65ns

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Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 0,25 A, 0,5 A. 20V 8-Pin SOIC 65ns, Anzahl der Ausgänge: 1, Anstiegszeit: 130ns, Topologie: Hochspannungsseite, Zeitverzögerung: 250ns, Polarität: Non-Inverting, Montage-Typ: SMD, Höhe: 1.5mm, Eingangsruhestrom: 15µA, MPN: IR2127STRPBF

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Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 0,25 A, 0,5 A. 20V 8-Pin SOIC 65ns

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Specifications of Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 0,25 A, 0,5 A. 20V 8-Pin SOIC 65ns

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Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 0,25 A, 0,5 A. 20V 8-Pin SOIC 65ns
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Siemens 6AV2108 Software für PLC

Siemens 6AV2108 Software für PLC

Siemens 6AV2108 Software für PLC, Reihe: SIMATIC, MPN: 6AV2108-0AA07-0AA5.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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    Siemens 6AV2107 Software für PLC

    Siemens 6AV2107 Software für PLC, Reihe: SIMATIC, MPN: 6AV2107-3PX07-0AA5.

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    • RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 2.2kΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse
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    • Murata DMS-20LCD-0/1 Digital Spannungsmessgerät DC LCD-Anzeige 3,5-stellig, 35.1mm, 22.4mm

    Murata DMS-20LCD-0/1 Digital Spannungsmessgerät DC LCD-Anzeige 3,5-stellig, 35.1mm, 22.4mm

    Murata DMS-20LCD-0/1 Digital Spannungsmessgerät DC LCD-Anzeige 3,5-stellig, 35.1mm, 22.5, MPN: DMS-20LCD-0-DCM-C.

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    • TE Connectivity HPBA Wickel Bremswiderstand 190Ω 10% / 745.7W

    TE Connectivity HPBA Wickel Bremswiderstand 190Ω 10% / 745.7W

    TE Connectivity HPBA Wickel Bremswiderstand 190Ω 10% / 745.7W, Gehäuse-Form: Geschlossen, MPN: HPBA010A190R100E.

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    • Wurth Elektronik WE-TPC Drosselspule, 22 μH 1.8A mit Ferrit-Kern, 1028 Gehäuse 10mm / ±30%, 16MHz

    Wurth Elektronik WE-TPC Drosselspule, 22 μH 1.8A mit Ferrit-Kern, 1028 Gehäuse 10mm / ±30%, 16MHz

    : +125°C, MPN: 744065220.: 135mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.

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  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • Wurth Elektronik
    • Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 0,25 A, 0,5 A.

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 0,25 A, 0,5 A.

    20V 8-Pin SOIC 65ns, Anzahl der Ausgänge: 1, Anstiegszeit: 130ns, Topologie: Hochspannungsseite, Zeitverzögerung: 250ns, Polarität: Non-Inverting, Montage-Typ: SMD, Höhe: 1.

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  • Infineon
    • Nexperia Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 11V / 500 mW max, MiniMELF 2-Pin

    Nexperia Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 11V / 500 mW max, MiniMELF 2-Pin

    : 100nA, Abmessungen: 3.7 x 1.6mm, Betriebstemperatur max.

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    • Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 0,25 A, 0,5 A.

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 0,25 A, 0,5 A.

    20V 8-Pin SOIC 65ns.20V 8-Pin SOIC 65ns, Anzahl der Ausgänge: 1, Anstiegszeit: 130ns, Topologie: Hochspannungsseite, Zeitverzögerung: 250ns, Polarität: Non-Inverting, Montage-Typ: SMD, Höhe: 1.

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    • Nexperia Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 11V / 500 mW max, MiniMELF 2-Pin

    Nexperia Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 11V / 500 mW max, MiniMELF 2-Pin

    : +200°C, Betriebstemperatur min.Nexperia Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 11V / 500 mW max, MiniMELF 2-Pin, Zenertyp: Spannungsregler, Toleranz Zener-Spannung: 5%, Prüfstrom: 5mA, Zener Lastwiderstand max.

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