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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TDSON

About The 35mm, Betriebstemperatur max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 5.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Infineon BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TDSON

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Specifications of Infineon BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TDSON

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Infineon IGBT / 41 A ±20V max., 600 V 166 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
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    • Wurth Elektronik WE-TPC Drosselspule, 10 μH 3.6A mit Ferrit-Kern, 1038 Gehäuse 10mm / ±30%, 20MHz

    Wurth Elektronik WE-TPC Drosselspule, 10 μH 3.6A mit Ferrit-Kern, 1038 Gehäuse 10mm / ±30%, 20MHz

    8mm, Abmessungen: 10 x 10 x 3.: 35mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.

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    • Festo Pneumatischer Mehrfachanschluss G3/4 G3/4

    Festo Pneumatischer Mehrfachanschluss G3/4 G3/4

    Festo Pneumatischer Mehrfachanschluss G3/4 G3/4, Serie: VABM, MPN: VABM-B10-30E-G34-8-P3.

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    • Festo Pneumatischer Mehrfachanschluss G3/4 G3/4

    Festo Pneumatischer Mehrfachanschluss G3/4 G3/4

    Festo Pneumatischer Mehrfachanschluss G3/4 G3/4, Serie: VABM, MPN: VABM-B10-30E-G34-5.

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    • TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 12.1Ω ±0.1% / 0.4W ±10ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    TE Connectivity RQ73,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 12.1Ω ±0.1% / 0.4W ±10ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: 2176388-5.4W ±10ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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    Infineon BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.

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    • Sick UM30 M30 Ultraschallsensor PNP 9 → 30 V dc / 200 mA, zylindrisch 30 - 250 mm, IP67

    Sick UM30 M30 Ultraschallsensor PNP 9 → 30 V dc / 200 mA, zylindrisch 30 - 250 mm, IP67

    Sick UM30 M30 Ultraschallsensor PNP 9 → 30 V dc / 200 mA, zylindrisch 30 - 250 mm, IP67, Gehäuseausführung: Zylinderförmig, Gewindegröße: M30 x 1,5, Anschlusstyp: 5-poliger M12-Steckverbinder, Länge: 84mm, Schaltfrequenz: 25 Hz, Breite: 30mm, Gleichspannung max.: 30V, Montagetyp: Bündig, MPN: 6037664.

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    Infineon BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TDSON

    : +150 °C.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • Sick UM30 M30 Ultraschallsensor PNP 9 → 30 V dc / 200 mA, zylindrisch 30 - 250 mm, IP67

    Sick UM30 M30 Ultraschallsensor PNP 9 → 30 V dc / 200 mA, zylindrisch 30 - 250 mm, IP67

    : 30V, Montagetyp: Bündig, MPN: 6037664.Sick UM30 M30 Ultraschallsensor PNP 9 → 30 V dc / 200 mA, zylindrisch 30 - 250 mm, IP67, Gehäuseausführung: Zylinderförmig, Gewindegröße: M30 x 1,5, Anschlusstyp: 5-poliger M12-Steckverbinder, Länge: 84mm, Schaltfrequenz: 25 Hz, Breite: 30mm, Gleichspannung max.

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