Nexperia PBRN123ET,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 40 V / 600 mA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin, Verlustleistung max.: 570 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 10 V, Basis-Emitter-Widerstand: 2.2kΩ, Abmessungen: 3 x 1.4 x 1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 2,2 kΩ
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Nexperia PBRN123ET,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 40 V / 600 MA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin
Specifications of Nexperia PBRN123ET,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 40 V / 600 MA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |