Infineon IPZ IPZ40N04S55R4ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0054 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPZ IPZ40N04S55R4ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
Specifications of Infineon IPZ IPZ40N04S55R4ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3 | |
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