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Infineon HEXFET IRFP3206PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247AC

About The : 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon HEXFET IRFP3206PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Infineon HEXFET IRFP3206PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247AC

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Specifications of Infineon HEXFET IRFP3206PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247AC

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Infineon HEXFET IRFP3206PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247AC
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Wurth Elektronik WCAP-ATUL, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 1000μF ±20% / 25V dc, Ø 10mm x 30mm, bis 105°C
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    STMicroelectronics THT Diode, 650V / 12A, 3-Pin D2PAK, Diodenkonfiguration: Einfach, MPN: STPSC12065G2-TR.

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    Siemens SIRIUS Motorüberwachungsmodul, 200 A 0 Eingänge 690 V 0-Ausg., MPN: 3UF7113-1AA01-0.

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    : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET IRFP3206PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.

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    2mm, Typ: Steckverbinder-Montage, Montagetyp: Kabelmontage, IDC, Steckverbindersystem: Kabel-Platine, Nennstrom: 2A, Betriebsspannung: 50 V-AC, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Seriennummer: 1-2355088, MPN: 1-2355088-0.TE Connectivity MICRO CT Leiterplattenbuchse Gerade 10-polig / 1-reihig, Raster 1.

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    2mm, Typ: Steckverbinder-Montage, Montagetyp: Kabelmontage, IDC, Steckverbindersystem: Kabel-Platine, Nennstrom: 2A, Betriebsspannung: 50 V-AC, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Seriennummer: 1-2355088, MPN: 1-2355088-0.TE Connectivity MICRO CT Leiterplattenbuchse Gerade 10-polig / 1-reihig, Raster 1.

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