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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Stromversorgungen & Transformatoren
Spannungswandler
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Nisshinbo Micro Devices

Nisshinbo Micro Devices Schaltregler, Eingang 2.7 → 18V Dc / Ausgang 2V Dc, 1 Ausg., ±50mA, Oberflächenmontage

About The , ±50mA, Oberflächenmontage, MPN: NJM2377V-TE1.7 → 18V dc / Ausgang 2V dc, 1 Ausg

Nisshinbo Micro Devices Schaltregler, Eingang 2.7 → 18V dc / Ausgang 2V dc, 1 Ausg., ±50mA, Oberflächenmontage, MPN: NJM2377V-TE1

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Nisshinbo Micro Devices Schaltregler, Eingang 2.7 → 18V Dc / Ausgang 2V Dc, 1 Ausg., ±50mA, Oberflächenmontage

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Specifications of Nisshinbo Micro Devices Schaltregler, Eingang 2.7 → 18V Dc / Ausgang 2V Dc, 1 Ausg., ±50mA, Oberflächenmontage

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Littelfuse SCR Thyristor 2.55A TO-225AA 600V 20A
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    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 165Ω ±1%, 0402 (1005M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 165Ω ±1%, 0402 (1005M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW0402165RFKED.Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 165Ω ±1%, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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  • Passive Bauelemente
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  • SMD-Widerstände
  • Vishay
    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 17.4kΩ ±1%, 0402 (1005M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 17.4kΩ ±1%, 0402 (1005M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: CRCW040217K4FKED.4kΩ ±1%, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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    • Renesas Electronics Renesas Development Kit IoT-WLAN-Anwendungen, Radio:

    Renesas Electronics Renesas Development Kit IoT-WLAN-Anwendungen, Radio:

    Renesas Electronics Renesas Development Kit IoT-WLAN-Anwendungen, Radio:, Kit-Klassifizierung: IoT-Modul, Vorgestelltes Gerät: CK-RX65N, Kit-Name: RX65N Cat-M1 Cloud Kit, MPN: RTK5CK65N0S04000BE.

  • Renesas Electronics
    • Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 5 A 20V 8-Pin TSSOP 6ns

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 5 A 20V 8-Pin TSSOP 6ns

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 5 A 20V 8-Pin TSSOP 6ns, MPN: 2EDN8533RXTMA1.

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  • Gate-Treiber
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    • Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 5 A 20V 8-Pin TSSOP 6ns

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 5 A 20V 8-Pin TSSOP 6ns

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 5 A 20V 8-Pin TSSOP 6ns, MPN: 2EDN8534RXTMA1.

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    Nisshinbo Micro Devices Schaltregler, Eingang 2.7 → 18V dc / Ausgang 2V dc, 1 Ausg., ±50mA, Oberflächenmontage

    , ±50mA, Oberflächenmontage, MPN: NJM2377V-TE1.Nisshinbo Micro Devices Schaltregler, Eingang 2.

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    • Bourns Sicherungseinsatz 66mm, 800V ac/dc / 150A aR, Lochabstand 24.1mm

    Bourns Sicherungseinsatz 66mm, 800V ac/dc / 150A aR, Lochabstand 24.1mm

    Bourns Sicherungseinsatz 66mm, 800V ac/dc / 150A aR, Lochabstand 24.1mm, Betriebsspannung: 800V ac/dc, MPN: PF-FB2-150.

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    • Bourns Sicherungseinsatz 66mm, 800V ac/dc / 150A aR, Lochabstand 24.1mm

    Bourns Sicherungseinsatz 66mm, 800V ac/dc / 150A aR, Lochabstand 24.1mm

    1mm, Betriebsspannung: 800V ac/dc, MPN: PF-FB2-150.Bourns Sicherungseinsatz 66mm, 800V ac/dc / 150A aR, Lochabstand 24.

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