Samsung Electro-Mechanics CIHO5T SMD-Mehrschicht-Induktivität, 68 nH 180mA mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm /, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Toleranz: ±5%, Gleichstromwiderstand max.: 1.4Ω, Resonanzfrequenz max.: 750MHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: CIH05T68NJNC
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Samsung Electro-Mechanics CIHO5T SMD-Mehrschicht-Induktivität, 68 NH 180mA Mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm /
Specifications of Samsung Electro-Mechanics CIHO5T SMD-Mehrschicht-Induktivität, 68 NH 180mA Mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / | |
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