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Taiwan Semiconductor TSM025 TSM033NB04LCR MOSFET 40 V / 121 A, 8-Pin PDFN56

About The : 2.Taiwan Semiconductor TSM025 TSM033NB04LCR MOSFET 40 V / 121 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max

Taiwan Semiconductor TSM025 TSM033NB04LCR MOSFET 40 V / 121 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max.: 3,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon

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Specifications of Taiwan Semiconductor TSM025 TSM033NB04LCR MOSFET 40 V / 121 A, 8-Pin PDFN56

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    : 3,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon.Taiwan Semiconductor TSM025 TSM033NB04CR MOSFET 40 V / 121 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max.

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    Taiwan Semiconductor TSM025 TSM033NB04LCR MOSFET 40 V / 121 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max.: 3,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    6V, Anzahl der Bits pro Wort: 8bit, Abmessungen: 0.2mm, Automobilstandard: AEC-Q100, Datenerhalt: 200Jahr, Betriebstemperatur max.STMicroelectronics 256kbit EEPROM-Speicherbaustein, Seriell-I2C Interface, WLCSP-4, 450ns SMD 32 K x 8 Bit, 32k x 4-Pin, Arbeitsspannnung min.: 1,6 V, Arbeitsspannnung max.

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    STMicroelectronics 256kbit EEPROM-Speicherbaustein, Seriell-I2C Interface, WLCSP-4, 450ns SMD 32 K x 8 Bit, 32k x 4-Pin, Arbeitsspannnung min.6V, Anzahl der Bits pro Wort: 8bit, Abmessungen: 0.

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