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ROHM R8010ANX N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 40 W, 3-Pin TO-220FM

About The : +150 °C.: 5V, Gate-Schwellenspannung min

ROHM R8010ANX N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 40 W, 3-Pin TO-220FM, Drain-Source-Widerstand max.: 950 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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ROHM R8010ANX N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 40 W, 3-Pin TO-220FM

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Specifications of ROHM R8010ANX N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 40 W, 3-Pin TO-220FM

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ROHM R8010ANX N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 40 W, 3-Pin TO-220FM
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