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Vishay IHLP-6767GZ-11 SMD Induktivität, 10 μH 19A Mit Metallverbund-Kern, 6767 Gehäuse 17.15mm / ±20%, 8MHz

About The Vishay IHLP-6767GZ-11 SMD Induktivität, 10 μH 19A mit Metallverbund-Kern, 6767 Gehäuse 17.15mm / ±20%, 8MHz, Höhe: 7mm, Abmessungen: 17

Vishay IHLP-6767GZ-11 SMD Induktivität, 10 μH 19A mit Metallverbund-Kern, 6767 Gehäuse 17.15mm / ±20%, 8MHz, Höhe: 7mm, Abmessungen: 17.15 x 17.15 x 7mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 9.33mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: IHLP6767GZER100M11

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Specifications of Vishay IHLP-6767GZ-11 SMD Induktivität, 10 μH 19A Mit Metallverbund-Kern, 6767 Gehäuse 17.15mm / ±20%, 8MHz

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