Infineon IPAN60R210PFD7SXKSA1, THT MOSFET Transistor / 16 A, 3-Pin PG-TO220

Recom RAC03-GA Schaltnetzteil, AUS 5V dc / 600mA 3W, EIN 85 → 305V ac Gekapselt, PCB-Montage, Ausgangsspannung: 5V dc, Anzahl der Ausgänge: 1, Länge: 37mm, Breite: 24mm, Tiefe: 15mm, Wirkungsgrad: 72%, Temperatur max.

: -40°C, MPN: RAC03-05SGA.Recom RAC03-GA Schaltnetzteil, AUS 5V dc / 600mA 3W, EIN 85 → 305V ac Gekapselt, PCB-Montage, Ausgangsspannung: 5V dc, Anzahl der Ausgänge: 1, Eingangsspannung: 305 V ac, 430 V dc, Montagetyp: Leiterplattenmontage, Länge: 37mm, Breite: 24mm, Tiefe: 15mm, Gewicht: 20g, Wirkungsgrad: 72%, Temperatur max.: +70°C, Temperatur min.

Vishay SMD Diode, 600V / 1A, 2-Pin SMP, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Universal, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.8µs, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 30A, MPN: S1PJ-M3/84A.1V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 1.

Infineon IGBT-Modul / 28 A +/-20V max., 1200 V 130 W Modul, Montage-Typ: Tafelmontage, MPN: FP15R12W1T4B11BOMA1.

Infineon IGBT / 100 A +/-20V max., 600 V 333 W, 3-Pin PG-TO247-3, Montage-Typ: THT, MPN: IGW50N60H3FKSA1.

8mm, Hülsen Typ: Wärmeschrumpfend, Kleberbeschichtet: Nein, Flammhemmend: Ja.2m, Schrumpfdurchmesser: 0.

Infineon IPAN60R210PFD7SXKSA1, THT MOSFET Transistor / 16 A, 3-Pin PG-TO220.

2W, Gehäuseform: Conformal, Schaltungsbezeichnung: BUS, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C, Abmessungen: 2.13W ±2%, Bauform SIP, Leistung je Widerstand: 0.

Infineon IPAN60R210PFD7SXKSA1, THT MOSFET Transistor / 16 A, 3-Pin PG-TO220.

13W ±2%, Bauform SIP, Leistung je Widerstand: 0.Bourns Serie 4600X Widerstands-Array, 8 x 1.49mm, Höhe: 5.