Onsemi 2N5551 THT, NPN Transistor 160 V / 600 MA 100 MHz, TO-92 3-Pin
About The : +150 °C, MPN: 2N5551TF.: 625 mW, Gleichstromverstärkung min
onsemi 2N5551 THT, NPN Transistor 160 V / 600 mA 100 MHz, TO-92 3-Pin, Verlustleistung max.: 625 mW, Gleichstromverstärkung min.: 80, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 180 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: 2N5551TF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi 2N5551 THT, NPN Transistor 160 V / 600 MA 100 MHz, TO-92 3-Pin
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Specifications of Onsemi 2N5551 THT, NPN Transistor 160 V / 600 MA 100 MHz, TO-92 3-Pin | |
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