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Infineon DirectFET, HEXFET IRF6648TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 86 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH

About The : 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4

Infineon DirectFET, HEXFET IRF6648TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 86 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH, Gehäusegröße: MN, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, Höhe: 0.5mm

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Infineon DirectFET, HEXFET IRF6648TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 86 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH

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Specifications of Infineon DirectFET, HEXFET IRF6648TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 86 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH

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Infineon DirectFET, HEXFET IRF6648TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 86 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH
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