Onsemi NTMD4N03G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC
About The : +150 °C, MPN: NTMD4N03R2G.onsemi NTMD4N03G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max
onsemi NTMD4N03G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTMD4N03R2G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NTMD4N03G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Onsemi NTMD4N03G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC | |
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