Vishay SIHA100N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30 A 35 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Vishay SIHA100N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30 A 35 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Vishay SIHA100N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30 A 35 W, 3-Pin TO-220 | |
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