Infineon IPD50N10S3L-16 IPD50N10S3L16ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 50 A 100 W, 3 + 2 Tab-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 19,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Automobilstandard: AEC-Q101
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Infineon IPD50N10S3L-16 IPD50N10S3L16ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 50 A 100 W, 3 + 2 Tab-Pin TO-252
Specifications of Infineon IPD50N10S3L-16 IPD50N10S3L16ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 50 A 100 W, 3 + 2 Tab-Pin TO-252 | |
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