IXYS HiperFET, Polar IXTP50N20P N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.66mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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IXYS HiperFET, Polar IXTP50N20P N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-220
Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXTP50N20P N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-220 | |
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